IPD60R2K1CE
来源：
深圳市瑞冠伟业科技有限公司
发布时间：2021-06-24
摘要：IPD60R2K1CE
製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
寬度: 6.22 mm
品牌: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
每件重量: 330 mg
IPD60R2K1CE
製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
寬度: 6.22 mm
品牌: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
每件重量: 330 mg
