GS66506T-MR
来源：
深圳市瑞冠伟业科技有限公司
发布时间：2022-09-30
摘要：GS66506T-MR
製造商: GaN Systems
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: GaN-on-Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DIE
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 22.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 90 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 4.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : -
通道模式: Enhancement
公司名稱: GaNPX
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: GaN Systems
配置: Single
開發套件: GS-EVB-AUD-xxx1-GS
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
系列: GS665xx
250
