摘要:只做原装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB