参数
Number of channels (#) 1
Isolation rating (Vrms) 5700
Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET
Peak output current (A) 4.5
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500
Output VCC/VDD (Max) (V) 33
Output VCC/VDD (Min) (V) 14
Prop delay (ns) 70
Operating temperature range (C) -40 to 125
Undervoltage lockout (Typ) 12, 8
通道数 (#) 1
隔离等级 (Vrms) 5700
电源开关 IGBT、MOSFET、SiCFET
峰值输出电流 (A) 4.5
DIN V VDE V 0884-10 瞬态过电压额定值 (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 工作电压（Vpk） 1500
输出 VCC/VDD (最大值) (V) 33
输出 VCC/VDD (Min) (V) 14
道具延迟（ns） 70
工作温度范围（℃） -40 到 125
欠压锁定（典型值） 12, 8
封装 | 引脚 | 尺寸 SOIC (DWY) 6 35 mm2 4.86 x 7.5
UCC23513 是一款光兼容单通道隔离式 IGBT、SiC 和 MOSFET 栅极驱动器，具有 3A 峰值输出电流和 5KVRMS 增强型隔离等级。高达 33V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 SiC 功率 FET。UCC23513 可以驱动高端（带外部自举二极管和电容器）和低端功率 FET。此器件的主要 特性 此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比，引脚完全兼容，同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制保证了较小的部件间偏移。输入级是仿真二极管，这与传统 LED 相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。此外，绝缘材料采用材料组I模压混合物，相对漏电起痕指数高于600V，具有更高的绝缘强度和可靠性。UCC23513 的高性能和可靠性以及扩展型 SO-6 封装、大于 8.5mm 的间隙和爬电距离使其适用于电机驱动和 太阳能、 直流电机控制、工业电源和电器中的逆变器应用。较高的工作温度为以前传统光耦合器 无法 支持的应用提供了机会。
