Number of channels (#) 2
Isolation rating (Vrms) 5700
Power switch IGBT, SiCFET
Peak output current (A) 6
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121
Output VCC/VDD (Max) (V) 25
Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7
Input VCC (Min) (V) 3
Input VCC (Max) (V) 18
Prop delay (ns) 19
Operating temperature range (C) -40 to 125
Undervoltage lockout (Typ) 12
通道数 (#) 2
隔离等级 (Vrms) 5700
电源开关 IGBT、SiCFET
峰值输出电流 (A) 6
DIN V VDE V 0884-10 瞬态过电压额定值 (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 工作电压（Vpk） 2121
输出 VCC/VDD (最大值) (V) 25
输出 VCC/VDD (Min) (V) 14.7
输入 VCC (最小值) (V) 3
输入 VCC (最大值) (V) 18
道具延迟（ns） 19
工作温度范围（℃） -40 到 125
封装 | 引脚 | 尺寸 SOIC (DWK) 14 77 平方毫米 10.3 x 7.5
UCC21530 -Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。
该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
