製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PG-TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 72 A
Rds On - 漏-源電阻: 9.6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V， + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.3 V
Qg - 閘極充電: 14.6 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 83 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: BSC096N10
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Infineon Technologies
互導 - 最小值: 22 ns
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.5 ns
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 15 ns
標準開啟延遲時間: 4.7 ns
零件號別名: BSC096N10LS5 SP001861036
每件重量: 104.400 mg
