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IPD30N03S4L-09

来源: 深圳市毅创辉电子科技有限公司 发布时间:2022-09-13

公司名: 深圳市毅创辉电子科技有限公司

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摘要:原装代理
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns
系列: OptiMOS-T2
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000415578 IPD3N3S4L9XT IPD30N03S4L09ATMA1
单位重量: 330 mg

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