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PXN8R3-30QLJ

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2022-09-06

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摘要:PXN8R3-30QLJ
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT8002-1-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 18.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 7.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: 934661598118
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