NESG210719-T1
NEC
日本瑞萨电子株式会社
NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG210719-T1
CEL
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
CEL
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
RENESAS
瑞萨科技有限公司
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
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NESG210719-T1
NEC-日本电气
18800
SOT-23-3
24+25+/26+27+
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CEL
200000
SOT-523
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