NE699M01-T1供应商库存(更新时间:2025-04-27 16:37)
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NE699M01-T1
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7750
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NE699M01-T1
NEC
19
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6000
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NE699M01-T1
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6200
SOT-363
17+
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NE699M01-T1
NEC
3993
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24+
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NE699M01-T1
NEC
10000
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NE699M01-T1
NEC
25000
SOT-363
22+
只有原装原装,支持BOM配单
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NE699M01-T1参数规格
功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Hi Gain Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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