NAND08GW3C2BN6E供应商库存(更新时间:2025-09-30 16:30)
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST/意法
4400
TSSOP
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深圳市赛特兴科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST
16900
TSOP
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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ST/意法
8850
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深圳市中远芯科技有限公司
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ST/意法
693
TSSOP
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原装现货
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深圳市昂芯微科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST
8678
TSSOP48
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原厂原装
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NAND08GW3C2BN6E
Micron
9000
48TSOP
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NAND08GW3C2BN6E
ST
20000
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NAND08GW3C2BN6E
ST
8650
SMD
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深圳市腾亿芯科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST
16900
TSOP
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深圳市威尔健半导体有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST/意法
353
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深圳市威尔健半导体有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
ST/意法
50000
TSOP48
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深圳市芯为科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
Micron
7800
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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NAND08GW3C2BN6E
Micron
9000
48TSOP
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NAND08GW3C2BN6E
ST
5000
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Micron Technology Inc.
56200
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NAND08GW3C2BN6E
ST/意法
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TSSOP-48
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当天发货全新原装现货
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NAND08GW3C2BN6E
MICRON
1001
TSOP-48
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NAND08GW3C2BN6E参数规格
功能描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
- IC型号
- 品牌 / 原厂
- 描述
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NAND08GW3C2BN6E
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NUMONYX
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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