NAND04GW3B2CN6E供应商库存(更新时间:2024-04-29 19:03)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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NAND04GW3B2DN6
ST/意法
118
NA/
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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NAND04GW3B2DN6
ST
6523
TSOP48
2016+
只做进口原装现货!假一赔十!
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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NAND04GW3B2DN6E
LSSJ
8298
TSOP
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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NAND04GW3B2DN6E
STM
8298
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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NAND04GW3B2DN6
ST
6852
TSOP
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深圳市航宇科工半导体有限公司
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NAND04GW3B2DN6
STM
5556
NA
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NAND04GW3B2DN6
ST
11085
TSOP48
19+
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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NAND04GW3B2DN6
ST
35200
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21+
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深圳市赛尔通科技有限公司
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电话:86-0755-83536093/83663430
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地址:深圳市福田区华强电子世界第三店5C123(本公司为一般纳税人,可开13%增值税票)
NAND04GW3B2DN6E
Numonyx/STMi
65480
48-TSOP
23+
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NAND04GW3B2DN6E
Numonyx/STMi
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NAND04GW3B2DN6E
Numonyx/STMi
65480
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NAND04GW3B2CN6E参数规格
功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
- IC型号
- 品牌 / 原厂
- 描述
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NAND04GW3B2CN6E
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NUMONYX
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories
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NAND04GW3B2CN6F
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NUMONYX
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories
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