NAND04GW3B2BN6F供应商库存(更新时间:2025-11-21 13:14)
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深圳市柯尔基电子有限公司
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NA
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ST
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NAND04GW3C2BN6E
STM
8560
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NAND04GW3B2DN6E
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NAND08G08LT
SM
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NAND04GW3C2BN6E
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深圳市冠亿通科技有限公司
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NAND04GW3B2BN6F参数规格
功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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