NAND02GW3B2DN6E供应商库存(更新时间:2025-04-27 10:11)
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市坤融电子科技有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市瑞卓芯科技有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市兴灿科技有限公司
联系人:刘先生
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NAND02GW3B2DN6E参数规格
功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
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