NAND01GW3B2BZA6E供应商库存(更新时间:2025-08-03 20:00)
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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深圳市赛尔通科技有限公司
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Numonyx/STMi
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63-VFBGA
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Micron
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深圳市斌腾达科技有限公司
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Micron Technology Inc.
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Micron
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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Micron Technology Inc.
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深圳市鼎欣微电子有限公司
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ST/意法
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深圳市弘为电子有限公司
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STMICROELEC
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上海市鑫鸿达电子
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STMicroelectronics
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NAND01GW3B2BZA6E参数规格
功能描述:闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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STMICROELECTRONICS
意法半导体集团
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
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