NAND01GR3B2CZA6E供应商库存(更新时间:2025-12-11 12:02)
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深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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NAND01GR3B2CZA6E参数规格
功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
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NAND01GR3B2CZA6E
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STMICROELECTRONICS
意法半导体集团
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
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