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MVDF1N05ER2G供应商库存（更新时间：2025-04-28 11:10）

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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MVDF1N05ER2G
ON Semiconductor
9000
8SOIC
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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MVDF1N05ER2G
ON-安森美
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MVDF1N05ER2G参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR