MT49H16M16
Micron
美国镁光科技有限公司
REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM
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MT49H16M16FM
MT49H16M18
288Mb: x9, x18, x36 2.5V VEXT, 1.8V VDD, HSTL, CIO, RLDRAM II
288Mb CIO Reduced Latency
MT49H16M18C
288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
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MT4953ACTR-VB
VBSEMI/微碧半导体
60000
SOP8
全新、原装
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MT49H16M18BM-25IT:B
MRON/美光
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MT49H16M18BM-25
micron(镁光)
7350
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MT49H16M18BM-25:B
MICRON
3000
BGA
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