DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT440A metal ceramic flange package with the emitter connected to the flange.
FEATURES
• Diffused emitter ballasting resistors
• Self-aligned process entirely ion implanted and gold sandwich metallization
• optimum temperature profile
• excellent performance and reliability
• Input matching cell improves input impedance and facilitates the design of wideband circuits.
APPLICATIONS
• Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4.2 GHz.
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