IXGN50N60BD2供应商库存(更新时间:2025-07-30 14:32)
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IXGN50N60BD2
IXYS/艾赛斯
1290
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19+
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXGN50N60BD2
IXYS
9000
SOT227B
22+
原厂渠道,现货配单
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IXGN50N60BD2
IXYS-艾赛斯
1880
车规-模块MODULE
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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IXGN50N60BD2
IXYS
8513
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专业模块
模块原装主营-可开原型号增税票
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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IXGN50N60BD2
IXYS
8513
MODULE
专业模块
模块原装主营-可开原型号增税票
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXGN50N60BD2
IXYS
9000
SOT227B
22+
原厂渠道,现货配单
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IXGN50N60BD2
IXYS
1000
SOT-227B
21+
主打产品价格优惠.全新原装正品
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深圳市中联芯电子有限公司
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IXGN50N60BD2
IXYS/艾赛斯
52
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2023+
主打螺丝模块系列
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IXGN50N60BD2
IXYS
8000
SOT-227
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只做原装现货
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IXGN50N60BD2
IXYS
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NA
23+
只做进口原装,终端工厂免费送样
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IXGN50N60BD2
IXYS
7000
SOT-227
23+
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IXGN50N60BD2
IXYS
9000
SOT227B
23+
原装正品,支持实单
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深圳市科雨电子有限公司
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IXGN50N60BD2
IXYS/艾赛斯
200
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就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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深圳市斌腾达科技有限公司
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IXYS
1000
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主打产品价格优惠.全新原装正品
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IXGN50N60BD2参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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