IXDR35N60BD1供应商库存(更新时间:2025-10-08 18:04)
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IXDR35N60BD1
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXDR35N60BD1
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IXDR35N60BD1
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IXDR35N60BD1
IXYS/艾赛斯
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原装正品,支持实单
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IXYS/艾赛斯
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IXYS
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IXDR35N60BD1参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDR35N60BD1价格
参考价格:31.7983
型号:IXDR35N60BD1
品牌:Ixys
说明:IXDR35N60BD1多少钱,2025年最近一个月行情走势,IXDR35N60BD1批发/采购报价,IXDR35N60BD1行情走势销售排行榜,IXDR35N60BD1报价。
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