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IXDN55N120D供应商库存(更新时间:2025-06-04 18:30)

IXDN55N120D参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 55 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXDN55N120D1价格

参考价格:131.4156

型号:IXDN55N120D1 品牌:IXYS 说明:IXDN55N120D1多少钱,2025年最近一个月行情走势,IXDN55N120D1批发/采购报价,IXDN55N120D1行情走势销售排行榜,IXDN55N120D1报价。

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