IXDH30N120D1供应商库存(更新时间:2025-12-09 20:00)
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS/艾赛斯
100000
TO-252
22+
代理渠道/只做原装/可含税
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深圳中芯器材有限公司
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IXDH30N120D1
Littelfuse/IXYS
600
TO-247AD
23+
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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深圳市川科科技有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS-艾赛斯
2368
TO-247-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS
9000
TO247AD (IXDH)
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市一线半导体有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS
8866
TO-247
24+
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浙江永芯科技有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS/Littelfuse
15800
TO-247
23+
全新原装正品现货直销
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS/艾赛斯
6000
TO-247
22+
十年配单,只做原装
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深圳市科雨电子有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS
326
TO-247
25+
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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深圳市弘为电子有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS
1700
原厂封装
24+
原装现货假一罚十
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深圳市星辰微电科技有限公司
联系人:雷先生
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IXDH30N120D1
IXYS(艾赛斯)
7500
N/A
23+
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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深圳市晨豪科技有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS/艾赛斯
89630
TO-252
23+
当天发货全新原装现货
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深圳市科雨电子有限公司
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IXDH30N120D1
IXYS
326
TO-247
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IXDH30N120D1参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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IXDH30N120D1
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ISC
无锡固电半导体股份有限公司
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NPT IGBT
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