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IXDH30N120供应商库存(更新时间:2024-04-29 19:03)

IXDH30N120参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXDH30N120价格

参考价格:37.1829

型号:IXDH30N120 品牌:Ixys 说明:IXDH30N120多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXDH30N120批发/采购报价,IXDH30N120行情走势销售排行榜,IXDH30N120报价。

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