IXDD609D2TR供应商库存(更新时间:2024-05-03 23:00)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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IXDD609D2TR参数规格
功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXDD609D2TR价格
参考价格:4.7943
型号:IXDD609D2TR
品牌:IXYS Integrated Circuits
说明:IXDD609D2TR多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXDD609D2TR批发/采购报价,IXDD609D2TR行情走势销售排行榜,IXDD609D2TR报价。
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