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IXBT2N250供应商库存(更新时间:2024-05-18 09:34)

IXBT2N250参数规格

功能描述:IGBT 2500V 5A 32W TO268 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:BIMOSFET™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

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