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IXA45IF1200HB供应商库存(更新时间:2024-05-11 11:49)

IXA45IF1200HB参数规格

功能描述:IGBT 模块 N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

IXA45IF1200HB价格

参考价格:38.3472

型号:IXA45IF1200HB 品牌:IXYS 说明:IXA45IF1200HB多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXA45IF1200HB批发/采购报价,IXA45IF1200HB行情走势销售排行榜,IXA45IF1200HB报价。

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