IS61NLP25618A-200TQLI
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北京矽成半导体有限公司
128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
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IS61NLP12832A IS61NLP12836A / IS61NVP12836A IS61NLP25618A / IS61NVP25618A特性 存储器IS61NLP25618A-200TQLI 100%总线利用率之间没有等待周期读写内部山顶的写周期存储器IS61NLP25618A-200TQLI 单个字节写控制单一R / W(读/写)控制销时钟控制,注册地址、数据和控制交叉或线性破裂顺序控制使用模式输入三个芯片使简单的深度发展和解决流水线断电模式通用数据输入和数据输出CKE销,使时钟和停止作业100 -销TQFP电平,·电源:NVP: VDD 2.5V(±5%)，VDDQ 2.5V(±5%)NLP: VDD 3.3V(±5%)，VDDQ 3.3V/2.5V(±5%描述存储器IS61NLP25618A-200TQLI 4 Meg NLP/NVP系列产品具有高速、存储器IS61NLP25618A-200TQLI 低功耗同步静态ram，旨在为网络和通信应用程序提供一个稳定、高性能、无等待状态的设备。它们由32位128K字、36位128K字和18位256K字组成，采用ISSI先进的CMOS技术制造。结合“不等待”状态特性，当总线从读切换到写或从写切换到读时，将消除等待周期。该装置集成了一个2位突发计数器，高速SRAM核心，高驱动能力输出到一个单一的单片机。所有通过寄存器的同步输入都由一个正边触发的单时钟输入控制。当时钟启用时，可能会挂起操作并忽略所有同步输入，CKE值很高。在这种状态下，内部设备将保存它们以前的值。所有读、写和取消选择循环都由ADV输入发起。当ADV高时，内部突发计数器增加。新的外部地址可以加载时，ADV低。写周期在内部是自动计时的，它是由时钟输入的上升沿和我们处于低电平时启动的。单独的字节允许写入单独的字节。突发模式pin (mode)定义突发序列的顺序。当系高时，选择交错爆破序列。当绑定较低时，选择线性突发序列。
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