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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
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联系人：朱总
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IRG4PC40SPBF其他被动元件
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