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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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联系人：肖先生
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联系人：何妮妮
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联系人：李小姐/黄先生
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