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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MD2S
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45000
TO-263
23+
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IRG4BC20MD2S
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只做原装现货
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终端可免费供样,支持BOM配单
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