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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE
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ISC
无锡固电半导体股份有限公司
IGBT
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
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