IRFU12N25DPBF供应商库存(更新时间:2025-07-25 18:01)
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IRFU12N25DPBF
IR
25000
I-PAK
22+
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深圳市一线半导体有限公司
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IRFU12N25DPBF
IR
753
TO-251
24+
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IRFU12N25DPBF
VISHAY-威世
78800
TO-251-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市华来深电子有限公司
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IRFU12N25DPBF
IR
11846
TO-251
23+
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
8000
原装
23+
只做原装现货
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天津市博通航睿技术有限公司
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IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
7000
原装
23+
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRFU12N25DPBF
IR
6000
I-PAK
22+
十年配单,只做原装
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深圳市科雨电子有限公司
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IRFU12N25DPBF
INFINEON
3000
TO-251
20+
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRFU12N25DPBF
IR
6000
I-PAK
22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IRFU12N25DPBF
IR
50000
TO-251
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市亿智腾科技有限公司
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IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
5000
原装
24+
原装正品,提供BOM配单服务
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IRFU12N25DPBF
IRF
19960
NA
23+
只做进口原装,终端工厂免费送样
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深圳市科雨电子有限公司
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IRFU12N25DPBF
INFINEON
3000
TO-251
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IRFU12N25DPBF参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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