FEATURES
■ Avalanche Rugged Technology
■ Rugged Gate Oxide Technology
■ Lower Input Capacitance
■ Improved Gate Charge
■ Extended Safe Operating Area
■ 175°C Operating Temperature
■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V
■ Lower RDS(ON) : 0.041 Ω(Typ.)
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IRFS4227TRLPBF 为知名半导体品牌出品的 N 沟道 MOS 管，导通损耗低，载流能力出色，开关运行稳定，散热表现良好，常应用在直流电源转换
发布时间：2026-05-27
