IRFL4105供应商库存(更新时间:2025-08-17 17:06)
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深圳市华斯顿科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRFL4105参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFL4105PBF价格
参考价格:1.1442
型号:IRFL4105PBF
品牌:International
说明:IRFL4105PBF多少钱,2025年最近一个月行情走势,IRFL4105PBF批发/采购报价,IRFL4105PBF行情走势销售排行榜,IRFL4105PBF报价。
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联系人:彭先生
QQ:2851196982
直线:0755-82991809
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邮箱:pc@szruizhixin.com
地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2
型号:IRFH5020TRPBF
类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
包装:4000
封装:8-PowerTDFN
发布时间:2021-09-18
IRFD120原装正品
发布时间:2021-07-22
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製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 1.6 A
Rds On - 漏-源電阻: 200 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20
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IRFM460产品规格参数资料
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N-Channel 30 A 600 V MOSFET , 1.2 kV MOSFET , - 20 V, + 20 V MOSFET , PowerPAK-SO-8 1 Channel N-Channel MOSFET , 10 A 150 V MOSFET , SO-8 SMD/SMT N-Channel 60 V MOSFET
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