IRFIZ34EPBF供应商库存(更新时间:2025-10-10 22:30)
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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十年配单,只做原装
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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终端可免费供样,支持BOM配单
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深圳市博中泰实业有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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VBSEMI/台湾微碧
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深圳市威尔健半导体有限公司
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VBSEMI/台湾微碧
50000
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京海半导体(深圳)有限公司
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原装现货假一罚十
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上海市鑫鸿达电子
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International Rectifier
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全新原装 货期两周
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深圳市科翼源电子有限公司
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原厂原装正品
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IRFIZ34EPBF参数规格
功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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HEXFET Power MOSFET
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VBSEMI
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VBSEMI/台湾微碧
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邮箱:pc@szruizhixin.com
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型号:IRFH5020TRPBF
类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
包装:4000
封装:8-PowerTDFN
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製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 1.6 A
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