IRF6603TR1供应商库存(更新时间:2025-04-28 16:54)
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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6852
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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深圳市安富世纪电子有限公司
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Infineon Technologies
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INFINEON
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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975
原厂封装
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深圳市安富世纪电子有限公司
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50000
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深圳市亿智腾科技有限公司
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Infineon Technologies
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深圳市鹏和科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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10000
QFN
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原装现货假一罚十
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深圳市晨豪科技有限公司
联系人:罗先生/严小姐/叶先生/邹先生
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INFINEON/英飞凌
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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Infineon Technologies
9000
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深圳市科雨电子有限公司
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INFINEON
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IRF6603TR1参数规格
功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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发布时间:2021-08-18