IRF6601供应商库存(更新时间:2025-04-29 15:30)
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRF6601
Infineon Technologies
9000
DirectFET? Isometric MT
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IRF6601
Infineon Technologies
8000
原装
23+
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天津市博通航睿技术有限公司
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IRF6601
Infineon Technologies
7000
原装
23+
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IRF6601
IRF
19960
NA
23+
只做进口原装,终端工厂免费送样
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深圳市科雨电子有限公司
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IRF6601
INFINEON
3000
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20+
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRF6601
IR
6000
SMD
22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IRF6601
IR
50000
SMD
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市亿智腾科技有限公司
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IRF6601
Infineon Technologies
5000
原装
24+
原装正品,提供BOM配单服务
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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IRF6601
Infineon Technologies
13880
DirectFET? Isometric MT
21+
公司只售原装,支持实单
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易创佳业科技(深圳)有限公司
联系人:唐先生
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IRF6601
Infineon Technologies
9000
DirectFET? Isometric MT
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原装正品,支持实单
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深圳市科雨电子有限公司
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IRF6601
INFINEON
3000
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IRF6601参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF540NS,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.
发布时间:2021-08-18