FEATURES
• Low RDs • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capactiance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliablitiy • TO-3 package (Standard)
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TO-3
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TO-3
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TO-3
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联系人：曾先生/刘小姐
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TO-3(铁帽)
联系人：李先生/高小姐
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TO-2P
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8000
TO-3
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TO-3
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6000
TO-3
