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零件状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.3A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 260μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1080 pF @ 400 V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 68W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 PG-TO220-3-1 封装/外壳 TO-220-3 基本产品编号 IPP60R180
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