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IPD80N06S3-09供应商库存(更新时间:2024-05-20 10:16)

IPD80N06S3-09参数规格

功能描述:MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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