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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPD60R2K1CEAUMA1 製造商: Infineon 產品類型: MOSFET RoHS: 詳細資料 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V Id - C連續漏極電流: 3.7 A Rds On - 漏-源電阻: 2.1 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V， + 20 V Vg
发布时间：2021-06-24IPD60R2K1CE 製造商: Infineon 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V 封裝: Reel 高度: 2.3 mm 長度: 6.5 mm 寬度: 6.22 mm 品牌: Infineon Technologies 產品類型: MOSFET 子類別: MOSFETs 每件重量: 330 mg
发布时间：2021-06-24
