IMT18T110供应商库存(更新时间:2025-06-18 11:06)
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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IMT18T110
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IMT18T110
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IMT18T110
ROHM
185600
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深圳市创新迹电子有限公司
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IMT18T110
ROHM/罗姆
7600
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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IMT18T110
ROHM/罗姆
3000
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IMT18T110
ROHM-罗姆
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IMT18T110
ROHM
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IMT18T110参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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