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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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深圳和润天下电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市芯巴巴科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市星辰微电科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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地址:深圳市福田区滨河大道南园街道南三栋1202
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正品授权货源可靠
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深圳市华芯源电子有限公司
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地址:深圳市福田区华强北 华强广场D栋16层16B
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终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IHY20N120R3参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body
RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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