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IGD01N120H2供应商库存(更新时间:2025-10-18 14:36)

IGD01N120H2参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IGD01N120H2价格

参考价格:3.8712

型号:IGD01N120H2 品牌:INF 说明:IGD01N120H2多少钱,2025年最近一个月行情走势,IGD01N120H2批发/采购报价,IGD01N120H2行情走势销售排行榜,IGD01N120H2报价。

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