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HN1B04FU-GR(L,F,T)供应商库存(更新时间:2025-06-22 19:12)

HN1B04FU-GR(L,F,T)参数规格

功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

HN1B04FU-GR(L,F,T)价格

参考价格:0.2256

型号:HN1B04FU-GR(L,F,T) 品牌:Toshiba 说明:HN1B04FU-GR(L,F,T)多少钱,2025年最近一个月行情走势,HN1B04FU-GR(L,F,T)批发/采购报价,HN1B04FU-GR(L,F,T)行情走势销售排行榜,HN1B04FU-GR(L,F,T)报价。

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