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HGT1S10N120BN供应商库存(更新时间:2025-08-12 23:01)

HGT1S10N120BN参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGT1S10N120BNS价格

参考价格:0.0000

型号:HGT1S10N120BNS 品牌:FAIRCHILD 说明:HGT1S10N120BNS多少钱,2025年最近一个月行情走势,HGT1S10N120BNS批发/采购报价,HGT1S10N120BNS行情走势销售排行榜,HGT1S10N120BNS报价。

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