HGT1S10N120BN供应商库存(更新时间:2025-08-12 23:01)
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功能描述:IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGT1S10N120BNS价格
参考价格:0.0000
型号:HGT1S10N120BNS
品牌:FAIRCHILD
说明:HGT1S10N120BNS多少钱,2025年最近一个月行情走势,HGT1S10N120BNS批发/采购报价,HGT1S10N120BNS行情走势销售排行榜,HGT1S10N120BNS报价。
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发布时间:2021-07-21