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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W, 48 V, 3600 – 3800 MHz
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Cree
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W, 48 V, 3600 ??3800 MHz
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联系人：颜小姐 /李先生
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