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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
联系人：田桢
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