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FII30-12E供应商库存（更新时间：2026-03-05 15:50）

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FII30-12E参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

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